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BSS138W-7-F
Semiconductors - Discretes > FETs

BSS138W-7-F

MULTICOMP PRO
  • MULTICOMP PRO
  • Diodes Incorporated
场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 1.4Ω, 200mA, SOT-323-3;
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥0.7068
市场总库存:
13,886
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.88
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8364732282
包装说明 SOT-323, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.95
风险等级 0.88
Samacsys Description MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, S
Samacsys Manufacturer Multicomp Pro
Samacsys Modified On 2024-01-16 13:36:58
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 3.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 8 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.2 W
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
tariffCode 85412100
rohsCompliant NO
合规 -
hazardous false
rohsPhthalatesCompliant NO
针脚数 3Pins
工作温度最高值 150°C
产品范围 -
usEccn EAR99
阈值栅源电压最大值 1.2V
MSL MSL 1 - Unlimited
漏源电压, Vds 50V
euEccn NLR
通道类型 N Channel
晶体管封装类型 SOT-323
功率耗散 200mW
productTraceability No
电流, Id 连续 200mA
Rds(on)测试电压 10V
晶体管安装 Surface Mount
参数规格与技术文档
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  • 技术文档
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