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BSS138-G

onsemi

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, 50V, 220mA, SOT-23 3L, 3000-REEL

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥0.7612

市场总库存:

107,745

生命周期状态:

Active

风险等级:

6.39

风险等级:

高

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	BSS138-G
Brand Name	onsemi
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	145537062720
零件包装代码	SOT-23 3L
制造商包装代码	318
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	6.39
Samacsys Description	Compact industry standard SOT-23 surface mount package.; 0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5 Ω @ VGS = 10 V. RDS(ON) = 6.0 Ω @ VGS = 4.5 V; Rugged and Reliable.; High density cell design for extremely low RDS(ON).
Samacsys Manufacturer	onsemi
Samacsys Modified On	2025-01-22 16:53:39
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	0.22 A
最大漏源导通电阻	6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	6 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.36 W
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON