晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS138NH6327XTSA2

Infineon Technologies AG

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥2.2209

市场总库存:

5,600,870

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.5

风险等级:

低

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	BSS138NH6327XTSA2
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1156364944
包装说明	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.21.00.95
Factory Lead Time	10 weeks
风险等级	1.5
Samacsys Description	Infineon BSS138NH6327XTSA2 N-channel MOSFET, 230 mA, 60 V SIPMOS, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.23 A
最大漏源导通电阻	3.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	3.8 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.36 W
最大功率耗散 (Abs)	0.36 W
参考标准	AEC-Q101; IEC-61249-2-21
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管元件材料	SILICON