参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否无铅 | ![]() |
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1990346267 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 9.03 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.2 A |
最大漏源导通电阻 | 3.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 8 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 0.2 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | UL RECOGNIZED |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |