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    晶体管 > 小信号场效应晶体管

    BSS138NL6433XT

    Infineon Technologies AG
    Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
    数据手册:
    ECAD 模型:
    市场均价:
    -
    市场总库存:
    -
    生命周期状态:
    Obsolete
    风险等级:
    9.2
    风险等级:
    设计
    产品
    长期
    参数规格
    相关器件
    详细参数
    参数名称 参数值
    Source Content uid BSS138NL6433XT
    生命周期 Obsolete
    Objectid 1824452897
    包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
    针数 3
    Reach Compliance Code unknown
    ECCN代码 EAR99
    HTS代码 8541.21.00.95
    风险等级 9.2
    其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压 60 V
    最大漏极电流 (ID) 0.23 A
    最大漏源导通电阻 3.5 Ω
    FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss) 3.8 pF
    JESD-30 代码 R-PDSO-G3
    JESD-609代码 e3
    元件数量 1
    端子数量 3
    工作模式 ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度 150 °C
    最低工作温度 -55 °C
    封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
    封装形状 RECTANGULAR
    封装形式 SMALL OUTLINE
    峰值回流温度(摄氏度) 260
    极性/信道类型 N-CHANNEL
    功耗环境最大值 0.36 W
    最大功率耗散 (Abs) 0.36 W
    认证状态 Not Qualified
    参考标准 AEC-Q101; IEC-61249-2-21
    表面贴装 YES
    端子面层 MATTE TIN
    端子形式 GULL WING
    端子位置 DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间 40
    晶体管元件材料 SILICON
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    • 数据手册
    • 技术文档
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