Thu May 16 2024 03:46:41 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
MT16HTS51264HY-800XX
存储 > DRAM

MT16HTS51264HY-800XX

Micron Technology Inc
DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-224, SODIMM-200
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.67
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1679729847
零件包装代码 SODIMM
包装说明 DIMM,
针数 200
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 7.67
YTEOL 5.07
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XZMA-N200
JESD-609代码 e4
长度 67.6 mm
内存密度 34359738368 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 200
字数 536870912 words
字数代码 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 512MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 3.8 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG
宽度 30 mm
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消