Tue Jun 11 2024 21:20:09 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
MT16HTS51264HY-667A1
存储 > DRAM

MT16HTS51264HY-667A1

Micron Technology Inc
DDR DRAM Module, 512MX64, 0.45ns, CMOS, LEAD FREE, MO-224, SODIMM-200
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1679729846
零件包装代码 SODIMM
包装说明 DIMM, DIMM200,24
针数 200
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 9.49
YTEOL 0
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-XZMA-N200
JESD-609代码 e4
长度 67.6 mm
内存密度 34359738368 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 200
字数 536870912 words
字数代码 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 512MX64
输出特性 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装等效代码 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 3.8 mm
自我刷新 YES
最大待机电流 0.128 A
最大压摆率 2.824 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 GOLD
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.6 mm
端子位置 ZIG-ZAG
宽度 30 mm
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消