MT16HTS51264HY-800XX

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MT16HTS51264HY-800XX

Micron Technology Inc

DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-224, SODIMM-200

数据手册:

下载: MT16HTS51264HY-800XX

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.67

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 55 个替代料
Micron Technology Inc 15 个替代料
Viking Technology 5 个替代料
Samsung Semiconductor 12 个替代料
Qimonda AG 8 个替代料
Elpida Memory Inc 4 个替代料
SK Hynix Inc 5 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 6 个替代料

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