晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF1405ZS-7PPBF

International Rectifier

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-7

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

8.61

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	2077744169
包装说明	LEAD FREE, D2PAK-7
针数	7
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	8.61
YTEOL	0
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	810 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (ID)	120 A
最大漏源导通电阻	0.0049 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	590 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON