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IRF1405ZL-7PPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF1405ZL-7PPBF

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CA, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE- 7
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.14
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1674285041
零件包装代码 D2PAK
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE- 7
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.14
YTEOL 0
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 810 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 120 A
最大漏源导通电阻 0.0049 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263CA
JESD-30 代码 R-PSIP-T7
元件数量 1
端子数量 7
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 590 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
International Rectifier
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