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HYB3165805TL-50
存储 > DRAM

HYB3165805TL-50

Infineon Technologies AG
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.92
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid HYB3165805TL-50
生命周期 Obsolete
Objectid 1537645022
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2,
针数 34
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 8.92
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G34
长度 22.25 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 34
字数 8388608 words
字数代码 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 8MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 12.7 mm
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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