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HYB3165805AJ-60
存储 > DRAM

HYB3165805AJ-60

Siemens
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.56
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1429511508
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 8.56
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J32
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 32
字数 8388608 words
字数代码 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 8MX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 J BEND
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
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