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BSS123_R2_00001
晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS123_R2_00001

PanJit Semiconductor
Small Signal Field-Effect Transistor
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.51
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8215962374
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.51
Samacsys Manufacturer PANJIT
Samacsys Modified On 2024-05-07 08:16:35
YTEOL 6.5
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 0.17 A
最大漏源导通电阻 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 7.8 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.5 W
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W
参考标准 IEC-61249; MIL-STD-750
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
PanJit Semiconductor
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