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BSS123LT3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS123LT3

onsemi
170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, CASE 318-08, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥3.5472
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BSS123LT3
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1531626484
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
制造商包装代码 CASE 318-08
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.49
YTEOL 0
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 0.17 A
最大漏源导通电阻 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 4 pF
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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