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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145155922387 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 6.49 |
| YTEOL | 6.5 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.17 A |
| 最大漏源导通电阻 | 10 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 2.8 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.35 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
| 参考标准 | MIL-STD-202 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 类别 | Diodes |
| Channel Polarity | N |
| ESD | N |
| Max PD(W) | 0.35 |
| Min PD(W) | 100 |
| Max VGS (V) | ±20 |
| Max ID(A) | 0.17 |
| Max IGSS(uA) | ±1 |
| Max VGS(th) (V) | 2.8 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ | 3000 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max | 6000 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 4.5V Typ | 3500 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 4.5V Max | 10000 |
| AEC Qualified | NO |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| MSL等级 | 1 |
| 生命周期 | Active |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SOT-23 |
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苏公网安备 32059002001873号