存储 > DRAM

VG26V4265CJ-4

Vanguard International Semiconductor Corporation

EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

数据手册:

下载: VG26V4265CJ-4

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.83

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 113 个替代料
Integrated Silicon Solution Inc 15 个替代料
OKI Electric Industry Co Ltd 6 个替代料
Elite Semiconductor Memory Technology Inc 7 个替代料
Mosel Vitelic Corporation 13 个替代料
LAPIS Semiconductor Co Ltd 11 个替代料
IBM 2 个替代料
United Microelectronics Corporation 6 个替代料
Samsung Semiconductor 13 个替代料
AMIC Technology 3 个替代料
SK Hynix Inc 9 个替代料
Infineon Technologies AG 6 个替代料
Vanguard International Semiconductor Corporation 5 个替代料
Micron Technology Inc 2 个替代料
Alliance Semiconductor Corporation 3 个替代料
FUJITSU Limited 2 个替代料
FUJITSU Semiconductor Limited 1 个替代料
Mitsubishi Electric 1 个替代料
G-Link Technology 8 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号