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VG26(V)4265CJ-4
存储 > DRAM

VG26(V)4265CJ-4

Vanguard International Semiconductor Corporation
256KX16 EDO DRAM, 40ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1476545436
零件包装代码 SOJ
包装说明 SOJ,
针数 40
Reach Compliance Code unknown
风险等级 9.83
YTEOL 0
访问模式 EDO
最长访问时间 40 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J40
JESD-609代码 e0
长度 26.04 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 40
字数 262144 words
字数代码 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 256KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Vanguard International Semiconductor Corporation
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