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VE16418165BTSA-7
存储 > DRAM

VE16418165BTSA-7

Vanguard International Semiconductor Corporation
EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-168
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1426663083
零件包装代码 DIMM
包装说明 ,
针数 168
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.49
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 32
JESD-30 代码 R-XDMA-N168
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 168
字数 1048576 words
字数代码 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX64
输出特性 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 NO
技术 MOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Vanguard International Semiconductor Corporation
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