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UPA1951TE
晶体管 > 功率场效应晶体管

UPA1951TE

NEC Electronics Group
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.133ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-95, 6 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.89
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1950922264
零件包装代码 SC-95
包装说明 PLASTIC, SC-95, 6 PIN
针数 6
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.89
YTEOL 0
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 12 V
最大漏极电流 (ID) 2.5 A
最大漏源导通电阻 0.133 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0
元件数量 2
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NEC Electronics Group
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