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UPA1911TE
晶体管 > 小信号场效应晶体管

UPA1911TE

Renesas Electronics Corporation
2500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-6
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.18
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid UPA1911TE
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1868855119
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 5A002
风险等级 9.18
YTEOL 0
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 2.5 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
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