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TS1GSH64V4H
存储 > DRAM

TS1GSH64V4H

Transcend Information Inc
DDR4 DRAM Module, 1GX64, CMOS, SODIMM-260
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.54
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 145634037202
包装说明 SODIMM-260
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Taiwan
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 7.54
YTEOL 5.6
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
交错的突发长度 4,8
JESD-30 代码 R-XDMA-N260
内存密度 68719476736 bit
内存集成电路类型 DDR4 DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 260
字数 1073741824 words
字数代码 1000000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C
最低工作温度
组织 1GX64
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DMA
封装等效代码 DIMM260,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
自我刷新 NO
连续突发长度 4,8
最大供电电压 (Vsup) 1.26 V
最小供电电压 (Vsup) 1.14 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Transcend Information Inc
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