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TM2SJ64EPN-10
存储 > DRAM

TM2SJ64EPN-10

Texas Instruments
2MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA144, SODIMM-144
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid TM2SJ64EPN-10
生命周期 Obsolete
Objectid 1431510110
零件包装代码 MODULE
包装说明 DIMM, DIMM144,32
针数 144
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.49
YTEOL 0
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 7.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 144
字数 2097152 words
字数代码 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 2MX64
输出特性 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装等效代码 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
刷新周期 2048
自我刷新 YES
最大待机电流 0.016 A
最大压摆率 1.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Texas Instruments
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