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TC59S6432CFT-80
存储 > DRAM

TC59S6432CFT-80

Toshiba America Electronic Components
IC 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86, 0.400 ICNH, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-86, Dynamic RAM
市场均价:
-
市场总库存:
81
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.73
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid TC59S6432CFT-80
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1508212289
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数 86
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.73
YTEOL 0
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G86
JESD-609代码 e0
长度 22.22 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 86
字数 2097152 words
字数代码 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 2MX32
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装等效代码 TSSOP86,.46,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.125 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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