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SST110
晶体管 > 小信号场效应晶体管

SST110

Linear Integrated Systems
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.07
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2136018191
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.07
YTEOL 0
配置 SINGLE
最大漏源导通电阻 18 Ω
FET 技术 JUNCTION
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Linear Integrated Systems
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