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SN74V263PZAEP
存储 > FIFO

SN74V263PZAEP

Texas Instruments
Enhanced Product 8192 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥250.5135
市场总库存:
180
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.95
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid SN74V263PZAEP
Brand Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1985393840
零件包装代码 QFP
包装说明 TQFP-80
针数 80
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Taiwan
ECCN代码 3A991.B.2.B
HTS代码 8542.32.00.71
风险等级 0.95
Samacsys Description SN74V263PZAEP, FIFO Memory Dual 16K x 9 bit, 8K x 18 bit Uni-Directional 5ns 133MHz 3.15 to 3.45V 80-Pin LQFP
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
最长访问时间 5 ns
其他特性 CAN ALSO BE CONFIGURED AS 16384 X 9
备用内存宽度 9
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
周期时间 7.5 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G80
JESD-609代码 e4
长度 14 mm
内存密度 147456 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO
内存宽度 18
湿度敏感等级 4
功能数量 1
端子数量 80
字数 8192 words
字数代码 8000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 8KX18
输出特性 3-STATE
可输出 YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP
封装等效代码 QFP80,.64SQ
封装形状 SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm
最大待机电流 0.015 A
最大压摆率 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子节距 0.65 mm
端子位置 QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30
宽度 14 mm
参数规格与技术文档
Texas Instruments
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