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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Not Recommended |
| Objectid | 1164814587 |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 56 weeks 4 days |
| 风险等级 | 6.89 |
| Samacsys Description | SIR870ADP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO Vishay |
| Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 80 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 60 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.007 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 104 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号