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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1379995655 |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | TO-263AB, 3 PIN |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 6.95 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 790 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号