Tue May 21 2024 17:11:59 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
RD3H045SPTL1
晶体管 > 功率场效应晶体管

RD3H045SPTL1

ROHM Semiconductor
Power Field-Effect Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥8.0876
市场总库存:
32,307
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.76
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8296697719
包装说明 DPAK-3/2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 2017-11-07
风险等级 0.76
Samacsys Description MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.4
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 45 V
最大漏极电流 (ID) 4.5 A
最大漏源导通电阻 0.26 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 9 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消