参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Transferred |
Objectid | 1340948965 |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XXUC-N |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 8.12 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.09 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XXUC-N |
元件数量 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
参考标准 | RH - 100K Rad(Si) |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UNSPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |