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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1475847983 |
| 包装说明 | QFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 9.83 |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 60 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最小待机电流 | 3 V |
| 最大压摆率 | 0.23 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | QUAD |
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苏公网安备 32059002001873号