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晶体管 > 功率场效应晶体管

NVMFS5C404NLAFT1G

onsemi
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 370A, 0.67mΩ TrenchFet 40V N-ch Trench 6 HEFET, DFN5 5x6, 1.27P (SO−8FL), 1500-REEL, Automotive Qualified
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥26.1548
市场总库存:
1,184
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.5
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid NVMFS5C404NLAFT1G
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8257663022
零件包装代码 DFN5 5x6, 1.27P (SO−8FL)
制造商包装代码 506EZ
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 15 weeks
Date Of Intro 2017-02-24
风险等级 7.5
Samacsys Description Small Footprint (5x6 mm); Low RDS(on); NVMFS5C404NLWF − Wettable Flank Option; Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2025-01-22 16:53:39
雪崩能效等级(Eas) 907 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (ID) 370 A
最大漏源导通电阻 0.001 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 79.8 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-F5
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 900 A
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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