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NM24C02LEM8
存储 > EEPROM

NM24C02LEM8

256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.35
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid NM24C02LEM8
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 1444270329
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25
针数 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 8.35
其他特性 2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK) 0.8 MHz
数据保留时间-最小值 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
长度 4.9 mm
内存密度 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 8
字数 256 words
字数代码 256
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 256X8
输出特性 OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
串行总线类型 I2C
最大待机电流 0.00001 A
最大压摆率 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 15 ms
参数规格与技术文档
Texas Instruments
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