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MTP12N20

Motorola Semiconductor Products

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

数据手册:

下载: MTP12N20

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

8.88

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 102 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 14 个替代料
STMicroelectronics 12 个替代料
Motorola Semiconductor Products 2 个替代料
Motorola Mobility LLC 1 个替代料
Samsung Semiconductor 5 个替代料
NXP Semiconductors 14 个替代料
International Rectifier 11 个替代料
Fuji Electric Co Ltd 1 个替代料
Intersil Corporation 3 个替代料
Infineon Technologies AG 9 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
onsemi 2 个替代料
Vishay Intertechnologies 6 个替代料
Renesas Electronics Corporation 8 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 3 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 2 个替代料
Powerex Power Semiconductors 2 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 2 个替代料
Harris Semiconductor 1 个替代料
IXYS Corporation 1 个替代料
Advanced Power Electronics Corp 2 个替代料

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