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MT45W4ML16BFB-601IT
存储 > SRAM

MT45W4ML16BFB-601IT

Micron Technology Inc
Pseudo Static RAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PBGA54, VFBGA-54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2011134458
零件包装代码 BGA
包装说明 VFBGA,
针数 54
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.83
YTEOL 0
最长访问时间 60 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B54
JESD-609代码 e0
长度 8 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 PSEUDO STATIC RAM
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 54
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD SILVER
端子形式 BALL
端子节距 0.75 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 6 mm
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
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