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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 145128632599 |
| 包装说明 | MODULE-25 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 8.3 |
| Samacsys Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Samacsys Modified On | 2021-03-07 01:29:28 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压 | 1200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 254 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0104 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X25 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 25 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1067 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 500 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON CARBIDE |
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