参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | MMSF3300R2 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1531632702 |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SO-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 9.18 |
YTEOL | 0 |
其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.8 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 50 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |