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MMSF3300R2
晶体管 > 功率场效应晶体管

MMSF3300R2

6.7A, 30V, 0.0125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.8556
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.18
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid MMSF3300R2
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1531632702
零件包装代码 SOT
包装说明 SO-8
针数 8
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.18
YTEOL 0
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 500 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 6.7 A
最大漏源导通电阻 0.0125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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