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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1404795813 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.75 |
| 风险等级 | 8.43 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.85 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 0.35 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 600 MHz |
| VCEsat-Max | 0.5 V |
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苏公网安备 32059002001873号