Sat May 18 2024 04:51:17 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
MMBTH69LT1
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

MMBTH69LT1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-236AB
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
2,582
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.78
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1437936287
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.78
YTEOL 0
基于收集器的最大容量 0.35 pF
集电极-发射极最大电压 15 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 2000 MHz
参数规格与技术文档
Motorola Semiconductor Products
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
相关器件
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消