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MMBTH20-HIGH
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

MMBTH20-HIGH

Texas Instruments
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.42
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid MMBTH20-HIGH
生命周期 Obsolete
Objectid 1420073784
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.42
YTEOL 0
基于收集器的最大容量 0.65 pF
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JEDEC-95代码 TO-236AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 620 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
Texas Instruments
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