参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1985367517 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA56,8X10,32 |
针数 | 56 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 9.61 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B56 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9 mm |
内存密度 | 33554432 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | FLASH+SRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 56 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -30 °C |
组织 | 2MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA56,8X10,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.048 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.1 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 7 mm |