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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1938807495 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA71,8X12,32 |
| 针数 | 71 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
| 风险等级 | 7.15 |
| YTEOL | 2 |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | SRAM IS CONFIGURED AS 256K X 16/512K X 8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B71 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 11 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 混合内存类型 | FLASH+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 71 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA71,8X12,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大压摆率 | 0.053 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 7 mm |
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苏公网安备 32059002001873号