参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | MA4ST552A-120 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 1407534227 |
包装说明 | O-CEMW-N2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.80 |
风险等级 | 7.51 |
最小击穿电压 | 22 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 5% |
最小二极管电容比 | 2.143 |
标称二极管电容 | 0.95 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | L BAND TO KU BAND |
JESD-30 代码 | O-CEMW-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 650 |
最大反向电流 | 0.05 µA |
反向测试电压 | 20 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |