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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | M68AF031AM55N1E |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 2031979372 |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 9.59 |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e3/e6 |
| 长度 | 11.8 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000006 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN/TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.55 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
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苏公网安备 32059002001873号