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M470T6554EZ3-CF7
存储 > DRAM

M470T6554EZ3-CF7

Samsung Electro-Mechanics
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, SODIMM-200
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1313408609
包装说明 SODIMM-200
Reach Compliance Code unknown
风险等级 7.49
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码 R-XZMA-N200
长度 67.6 mm
内存密度 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 200
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度
组织 64MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度 30.15 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.6 mm
端子位置 ZIG-ZAG
宽度 3.8 mm
参数规格与技术文档
Samsung Electro-Mechanics
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