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KM741006J-12
存储 > SRAM

KM741006J-12

Samsung Semiconductor
Standard SRAM, 256KX4, 7ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1409881847
零件包装代码 SOJ
包装说明 SOJ, SOJ36,.44
针数 36
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 3A991.B.2.B
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.83
YTEOL 0
最长访问时间 7 ns
其他特性 SELF-TIMED WRITE
I/O 类型 SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J36
JESD-609代码 e0
长度 23.5 mm
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 36
字数 262144 words
字数代码 256000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 256KX4
输出特性 3-STATE
可输出 YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ36,.44
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm
最大待机电流 0.04 A
最小待机电流 4.75 V
最大压摆率 0.18 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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