Fri May 10 2024 19:00:13 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
KM41V4000CLTR-6
存储 > DRAM

KM41V4000CLTR-6

Samsung Semiconductor
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-20
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1412998684
零件包装代码 TSOP
包装说明 TSOP2-R, TSSOP20/26,.36
针数 20
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-G20
JESD-609代码 e0
长度 17.14 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 1
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 20
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 4MX1
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2-R
封装等效代码 TSSOP20/26,.36
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
反向引出线 YES
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 NO
最大待机电流 0.0001 A
最大压摆率 0.06 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消