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KM41C16000ATR-6
存储 > DRAM

KM41C16000ATR-6

Samsung Semiconductor
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.81
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1412998270
零件包装代码 TSOP2
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
针数 28/24
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.81
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0
长度 18.41 mm
内存密度 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 1
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 24
字数 16777216 words
字数代码 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 16MX1
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2-R
封装等效代码 TSOP24/28,.46
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
反向引出线 YES
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 NO
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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