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KM418C256Z-7
存储 > DRAM

KM418C256Z-7

Samsung Semiconductor
Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1413311476
零件包装代码 ZIP
包装说明 ZIP, ZIP40,.1
针数 40
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PZIP-T40
JESD-609代码 e0
内存密度 4718592 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 18
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 40
字数 262144 words
字数代码 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 256KX18
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP
封装等效代码 ZIP40,.1
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 512
座面最大高度 12.07 mm
自我刷新 NO
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG
宽度 2.96 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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