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KM416S4030BT-F10M
存储 > DRAM

KM416S4030BT-F10M

Samsung Semiconductor
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1516454066
包装说明 TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
最长访问时间 7 ns
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16
端子数量 54
字数 4194304 words
字数代码 4000000
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 4MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP
封装等效代码 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
连续突发长度 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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