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K6E0808C1E-TP12T
存储 > SRAM

K6E0808C1E-TP12T

Samsung Semiconductor
Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.93
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 102331258
包装说明 TSSOP, TSSOP28,.46,20
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 7.93
YTEOL 2
最长访问时间 12 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0
内存密度 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 8
端子数量 28
字数 32768 words
字数代码 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 32KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP
封装等效代码 TSSOP28,.46,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大待机电流 0.0005 A
最小待机电流 2 V
最大压摆率 0.08 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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